Атомно-слоевое осаждение

Атомно-слоевое осаждение (atomic layer deposition, ALD) - это технология осаждения тонких плёнок, которая базируется на последовательных химических реакциях между паром и твёрдым телом и имеет свойство самоограничения. Эта технология используется для создания ультратонких и однородных пленочных структур и применяется для большинства полупроводниковых и тонкопленочных приложений. 

 

Технические характеристики:

  • 2 газовых линии
  • нагрев до 500oС
  • SIMS прецизионный контроль газа
  • 6 прекурсоров

Приложения:

  • Фотонные кристаллы
  • Микроэлектромеханические системы
  • Микрокапсулирование
  • Пароизоляционые покрытия