Атомно-слоевое осаждение (atomic layer deposition, ALD) - это технология осаждения тонких плёнок, которая базируется на последовательных химических реакциях между паром и твёрдым телом и имеет свойство самоограничения. Эта технология используется для создания ультратонких и однородных пленочных структур и применяется для большинства полупроводниковых и тонкопленочных приложений. 

Технические характеристики:

• 2 газовых линии
• нагрев до 500^oС
• SIMS прецизионный контроль газа
• 6 прекурсоров

Приложения:

• Фотонные кристаллы
• Микроэлектромеханические системы
• Микрокапсулирование
• Пароизоляционые покрытия