Лаборатория создания тонких пленок
Атомно-слоевое осаждение
Атомно-слоевое осаждение (atomic layer deposition, ALD) - это технология осаждения тонких плёнок, которая базируется на последовательных химических реакциях между паром и твёрдым телом и имеет свойство самоограничения. Эта технология используется для создания ультратонких и однородных пленочных структур и применяется для большинства полупроводниковых и тонкопленочных приложений.
Импульсно-лазерное осаждение
Импульсно лазерное осаждение (PLD) - технология по созданию тонких пленок (с контролируемыми толщинами от 1 ангстерма до сотен нанометров) посредством распыления материала мишени мощным сфокусированным лазерным импульсом внутри вакуумной камеры. Рост тонких пленок происходит в камере (вакуум до 10-11 Торр) при помощи двух Nd:YAG лазеров (Nd:YAG лазер LS-2137U) и (Nd:YAG лазер LS-2136).
Ионно-плазменное напыление
Установка ионно-плазменного напыления – это полупромышленный комплекс оборудования, созданный для нанесения тонкопленочных оптических покрытий методом ионно-плазменного осаждения. Установка выпущена калининградским предприятием ОКБМ-ТО (Фирма создана сотрудниками отдела по разработке вакуумного напылительного оборудования ОКБМ «ПО КВАРЦ») и изначально предназначалась для промышленного производства лазерных зеркал на основе оксидных пленок. Приобретенная в 2009 году, она многократно дорабатывалась инженерами и лаборантами НОЦ, благодаря чему возможности по нанесению различных тонкопленочных покрытий существенно расширились.
Магнетронное напыление большой площади
Вакуумная установка магнетронного напыления большой площади является универсальной напылительной установкой с возможностью частичной модификации и изменения функционала под требования пользователя. На данном типе оборудования возможна реализация магнетронного распыления с одного магнетрона. Существует также набор опций, позволяющий расширить возможности базовой комплектации: установка источника ионов для чистки и активации поверхности, различные варианты оснастки под образцы (в том числе и перемоточный механизм).