Экспериментальный комплекс на базе ускорителя типа Ван-де-Граафа HVEE AN-2500 – генератор высокого напряжения, принцип действия которого основан на электризации движущейся диэлектрической ленты. Применяется для ускорения различных заряженных частиц, ионной имплантации и исследований методом обратного резерфордовского рассеяния. Ускоритель позволяет проводить исследования используя ионы водорода или гелия в диапазоне энергий 0,8-2,0 МэВ.

На данный момент установка имеет две линии:

Линия ионной имплантации. При ионной бомбардировке твердых тел, наряду с процессами распыления поверхности, ионно-ионной эмиссии, образования радиационных дефектов и др., происходит проникновение ионов вглубь бомбардируемого объекта (мишени). Наиболее широко ионная имплантация применяется для легирования полупроводников с целью создания p-n переходов, гетеропереходов, низкоомных контактов. Ионную имплантацию в металлы применяют с целью повышения их твердости, износоустойчивости, коррозионной стойкости и т.д.

Линия RBS. Ядерно-физический метод исследования твердых тел, так называемый метод обратного резерфордовского рассеяния, основан на применении физического явления – упругого рассеяния ускоренных частиц на большие углы при их взаимодействии с атомами вещества. Этот метод достаточно давно используется в ядерной физике для определения состава мишеней путем анализа энергетических спектров обратно рассеянных частиц. Аналитические возможности резерфордовского рассеяния легких частиц получили широко применение в различных областях физики и техники, начиная от электронной промышленности и заканчивая исследованиями структурных фазовых переходов в высокотемпературных соединениях.