Сектор ионно-пучковых технологий

Экспериментальный комплекс на базе ускорителя типа Ван-де-Граафа HVEE AN-2500 – генератор высокого напряжения, принцип действия которого основан на электризации движущейся диэлектрической ленты. Применяется для ускорения различных заряженных частиц, ионной имплантации и исследований методом обратного резерфордовского рассеяния. Ускоритель позволяет проводить исследования используя ионы водорода или гелия в диапазоне энергий 0,8-2,0 МэВ.

 

На данный момент установка имеет две линии:

Линия ионной имплантации. При ионной бомбардировке твердых тел, наряду с процессами распыления поверхности, ионно-ионной эмиссии, образования радиационных дефектов и др., происходит проникновение ионов вглубь бомбардируемого объекта (мишени). Наиболее широко ионная имплантация применяется для легирования полупроводников с целью создания p-n переходов, гетеропереходов, низкоомных контактов. Ионную имплантацию в металлы применяют с целью повышения их твердости, износоустойчивости, коррозионной стойкости и т.д.

Линия RBS. Ядерно-физический метод исследования твердых тел, так называемый метод обратного резерфордовского рассеяния, основан на применении физического явления – упругого рассеяния ускоренных частиц на большие углы при их взаимодействии с атомами вещества. Этот метод достаточно давно используется в ядерной физике для определения состава мишеней путем анализа энергетических спектров обратно рассеянных частиц. Аналитические возможности резерфордовского рассеяния легких частиц получили широко применение в различных областях физики и техники, начиная от электронной промышленности и заканчивая исследованиями структурных фазовых переходов в высокотемпературных соединениях.

 

Технические характеристики системы:

 

Диапазон масс

В ±150 321 а.е.м

Диапазон энергии

200-2000 КэВ для одного вида ионов

Ток пучка

диапазон:

800-2000KV

400-800KV

200-400KV

4He+; 11B+; 16O+; 28Si+; 31P+; 40Ar+; 75As+

≈150μA; ≈40μA; ≈35μA; ≈40μA; ≈40μA; ≈200μA; ≈40μA.

примерно 70% от указанных выше значений

примерно 50% от указанных выше значений

Пульсация тока пучка

± 10%

Стабильность напряжения на клеммах

Пульсация ±2 KV

Направление ±2 KV